2nm 및 1.4nm 생산 라인 준비 본격화, ‘최근 침체 극복, 도약’
전문가들 “3nm GAA도 수율 부족, 공정 축소로 TSMC 도전은 무리” 지적
[애플경제 이지향 기자] 삼성 파운드리가 최근의 침체에도 불구, 생산 라인을 업그레이드하고 시설을 개선하면서 2nm 및 1.4nm 노드로 반도체 경쟁에서 TSMC를 따라잡을 태세다.
그 동안 반도체 시장에서 삼성전자의 상황은 그리 좋지 않았다. 불안정한 수율이든 업계의 관심 부족이든 이 회사의 공정이 문제가 되었기 때문이다. 가장 최신 트랜지스터 구조인 ‘게이트올어라운드’인 GAA 기술을 통합, 획기적인 제품이라고 알려졌음에도, 삼성의 3nm 제품은 전혀 관심을 끌지 못해 막대한 손실만 기록했다. 차세대 2nm 공정도 마찬가지였다. 노드 크기에서 TSMC보다 앞서 있지만, 지속 가능한 생산 측면에서는 뒤처져 있다.
그러나 삼성 파운드리는 이런 시행착오에도 불구하고, 또 다른 도전에 나섰다. ‘BusinessKorea’의 새로운 보고서와 이를 인용한 Wccftech에 따르면, 삼성전자는 현재 화성 공장에 첨단 생산 시설을 설립, 2nm의 양산을 본격화할 예정이다. 이대로라면 2025년 1분기까지 월 7,000개의 웨이퍼를 생산할 계획이다. 2nm뿐만 아니다. 삼성은 평택 2공장에 생산 라인을 설치, 최대 3,000개의 웨이퍼를 생산할 준비를 하고 있으며, 이에 따라 1.4nm로의 전환도 자신하고 있다.
Wccftech는 “삼성은 TSMC의 공정 주기와 경쟁하기로 결정한 듯하며, ‘노드 축소’ 공정을 확장함으로써 TSMC를 추월할 가능성도 있다”면서 “삼성은 이미 2nm 공정을 시작하고 조만간 1.4nm 공정으로 전환할 계획”이라고 전했다. 특히 “TSMC는 2027년까지 1.4nm 공정으로 전환할 계획인 점을 감안할 때, TSMC보다 2년 앞서 나갈 가능성이 있다”면서 “최근 실적 발표에서 사과문까지 발표한 후 (파운드리의) 분사 소문이 떠돌자 (사측은) 파운드리 부문에 대한 전적인 신뢰를 약속했기 때문에, 삼성 파운드리가 사라지지 않을 것”이라고 밝혔다.
그러나 Wccftech’는 다소 회의적 분석을 보여 주목된다. 앞서 기존 3nm 이상의 기술은 일관된 수율을 달성하지 못했다. 이에 이번처럼 공정 축소에 집중하는 것이 수율을 올리는 등 지속 가능하지 않고, 생산을 훨씬 더 비효율적으로 만들 뿐이란 지적이다. 특히 “TSMC가 가장 많은 매출을 올리고 있는 제품은 3nm 및 파생 제품”이라며 “이와 비교했을 때, 삼성이 노드 크기를 줄이는 데 집중하는 방식은 수율 문제를 해결하지 않는 한 효과적이지 않을 것”이라고 내다봤다.
그래서 이 매체는 “삼성은 TSMC와 같은 경쟁사에 도전하기에는 아직 갈 길이 멀다”면서 “신기술이 널리 채택되는 데엔 안정적인 수율이 더 중요하다는 점을 감안할 때 공정 우월성이 제 역할을 할지는 의심스럽다”고 했다. 그럼에도 불구하고 “삼성은 여전히 TSMC의 ‘왕좌’를 가로챌 수 있다고 확신하고 있는데, 과연 성공할지는 ‘시간’만이 알려줄 것”이라고 다소 회의적인 시각을 보였다.