대서특필과 함께 “애플 칩 제조 파트너 TSMC는 2025년 2nm 칩에 도전”
바이든 대통령 삼성 방문 환기하며 “미 글로벌 반도체 전략과 연계” 암시
[애플경제 이보영 기자] “삼성전자가 TSMC보다 먼저 3나노 칩 생산에 돌입한다.”
30일 오후 각국의 외신들은 일제히 이런 제목으로 삼성의 3나노 칩 양산 소식을 타전했다. 이 시각 국내 언론과 거의 동시에 ‘블룸버그 통신’은 주요 기사로 이를 다루고, 로이터 통신은 ‘테크놀로지’ 섹션 헤드라인으로 이를 대서특필했다. 특히 ‘테크크런치’ 등 일부 기술매체들은 “삼성이 TSMC보다 앞섰다”는 사실을 강조하고 있어 주목을 끌었다.
이들 외신 보도를 보면 삼성은 세계 파운드리 사상 최초로 “‘세계 최고 수준의 파운드리 칩 제조업체인 대만 반도체 제조사’를 제치고 세계 최초로 3나노미터 칩 양산을 시작했다고 발표했다.”고 전했다. 그러면서 그 자세한 사양과 스펙을 소개했다. 이들 외신은 “삼성은 1세대 3나노 칩이 기존 5나노미터 칩에 비해 표면적이 16% 작고, 전력 사용량이 45% 줄었으며, 성능도 23% 향상된 게이트 만능(GAA) 트랜지스터 아키텍처를 사용하고 있다고 밝혔다.”면서 “한국 회사(삼성전자)는 또한 성명서에서 3nm 공정의 2세대는 전력 소비를 50% 줄일 수 있을 것”이라고 말했음을 강조하고 있다.
이날 삼성전자 대변인은 별도로 직접 ‘테크크런치’ 등 기술매체나, 블룸버그, 로이터 등 유력 외신들과 인터뷰을 한 것으로 보도되었다. 이를 통해 대변인은 “현재 1세대 3nm 칩을 생산하고 있으며 2023년부터 2세대 3nm 공정 생산을 시작할 계획”이라고 밝힌 것으로 전해졌다.
‘테크크런치’ 등 외신은 또 “삼성전자는 지난 6월 3나노 칩 공정 양산을 2022년 하반기부터 시작하겠다고 밝힌 애플 칩 제조 파트너 TSMC와 경쟁해왔다.”고 다시금 TSMC와의 경쟁을 환기시키며 “대만 업체(TSMC 등)들은 2025년까지 2나노 칩 생산을 계획하고 있다. 나노미터 수가 적을수록 개발이 어려운 만큼 첨단 칩을 생산할 수 있다는 게 업계의 설명이다.”고 전했다.
또 “삼성전자 대변인은 노드가 작으면 주어진 영역에 더 많은 트랜지스터를 배치할 수 있어 칩이 더 발전하고 전력 효율이 더 좋다고 설명했다”면서 독자들에게 3나노 칩의 의미를 상세히 소개하기도 했다.
블룸버그는 “이번 발표는 차세대 제품을 위해 가장 발전된 칩을 필요로 하는 제조회사들을 위협하고 있는 코로나바이러스 팬데믹으로 인해 촉발된 세계적인 칩 부족 속에서 나온 것”이라며 “이 한국의 거대 기술 기업(삼성 전자)은 화성 반도체 생산 라인과 세계 최대의 반도체 시설인 평택에 있는 세 번째 반도체 공장에서 첨단 3-nm 칩을 생산할 것”이라고 밝혔다. 특히 “조 바이든 대통령은 지난 5월 반도체 제휴 강화를 위해 아시아 첫 순방길에 삼성 평택 반도체 공장을 방문했다”고 덧붙여 눈길을 끈다. 마치 바이든 대통령의 방한이 이번 3나노 칩 양산과 어떤 형태로든 관계가 있음직한 뉘앙스를 풍기는 대목이다.
그러면서 이들 외신은 “삼성은 지난해 2030년까지 로직 칩과 파운드리 사업에 171조원을 투자할 것이라고 발표했다”고 환기하며 “삼성전자가 텍사스에 170억 달러 규모의 반도체 공장을 세우기로 했고, TSMC는 지난 4월 향후 3년간 칩 제조 능력을 확대하기 위해 1,000억 달러를 투자할 것이라고 밝혔다.”고 돌이켰다. 이번 삼성전자의 3나노 칩 양산이나 TSMC와의 경쟁 구도 등이 모두 미국의 글로벌 반도체 전략의 일환으로 이어지는 듯한 의미로 읽힌다.
한편 삼성전자 파운드리사업부장은 “차세대 기술을 제조업에 적용하는 리더십을 지속적으로 발휘하면서 삼성이 급성장했다. 우리는 경쟁력 있는 기술 개발에 있어 적극적인 혁신을 지속하고 기술의 성숙도 달성을 촉진하는 프로세스를 구축할 것”이라고 외신에 밝히기도 했다.