삼성전자, 고용량 DDR5 메모리 개발…저전압서 고성능 구현
차세대 컴퓨팅‧대용량 데이터센터‧인공지능 등에 적용 예정
삼성전자가 ‘하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.
삼성전자에 따르면 DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로도 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈이 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대하고 있다.
회사는 이번에 개발된 DDR5 메모리가 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현했고 설명했다.
또 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다고 밝혔다.
더불어 이 제품에는 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다고 전했다.
삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며 “이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 말했다.
한편 삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이라고 밝혔다.