화웨이, 고급 3nm GAA 칩 개발, 美 제재 ‘정면돌파

[애플경제 이지향 기자] 화웨이가 고급 3nm GAA 칩을 개발해 미국의 대중 반도체 제재 장벽을 허물 전망이다. 이를 위해 2026년에는 양산체제를 갖춘다는 계획이다.

대만경제일보(Taiwan Economic Daily) 보도를 인용한 비즈니스인사이더, 로이터 등에 따르면 화웨이는 중국 반도체 산업의 한 단계 도약을 위한 고급 노드인 3nm GAA를 개발하려는 움직임이 포착되었다. 이를 통해 엔비디아, AMD 등 서방 기업에 대한 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 기대된다.

화웨이는 최근 이들 미국 등 서방 경쟁업체들과 경쟁하기 위해 제품 포트폴리오를 혁신, 재조정하고 있다. 이 회사는 모바일 분야뿐만 아니라 AI와 컴퓨팅 분야에서도 뿌리 깊은 내공을 갖추고 있어 경쟁에서 밀리지 않는 강자다.

대만경제일보 보도에 따르면, 화웨이는 SMIC의 국산 5nm 공정을 사용하는 기린 X90 SoC의 성공에 힘입어 3nm GAA(Gate-All-Around) 공정 연구 개발에 착수했다.

이 보도에 따르면, 화웨이는 3nm 공정에서 GAA(Gate-All-Around) 방식을 선택할 예정이다. 이를 위해 트랜지스터 채널의 경우 기존 실리콘 설계에서 벗어나 이런 고급 노드 크기에는 사용되지 않는 2차원‘ 소재를 사용할 것으로 알려졌다. 이를 통해 기존 실리콘 기반 설계보다 더 작은 규모에서 더 나은 성능과 더 낮은 전력 소비를 구현할 수 있다는 전망이다.

이에 전문가들은 “3nm용 GAA 중심 설계는 현재까지 삼성 파운드리에서만 진행되어 왔는데, 이번에 화웨이와의 협력 가능성은 있을까”를 궁금해하고 있다.

화웨이는 또 실리콘 기반 트랜지스터 및 인터커넥트의 대안인 탄소 나노튜브를 특징으로 하는 ’탄소 기반‘ 3nm 설계도 개발하고 있다. 따라서 “화웨이가 중국 최대 파운드리 업체인 SMIC와 협력하여 새로운 접근 방식을 시험해 볼 가능성이 높다”는 주장이다.

물론 아직은 이러한 계획은 초기 단계에 있다. 화웨이는 본래 매우 빠른 일정을 계획했지만 이를 다시 수정한 것으로 알려졌다. 그러나 5nm 공정, 특히 소비자 제품에 노드를 통합하는 데 있어 화웨이가 성공을 거두면서, 앞으로의 과정은 순조로울 것이란 전망이다.

비즈니스 인사이더는 “화웨이는 이 분야의 핵심 기업으로 부상하고 있으며, 공급망을 수직적으로 통합해 기술 측면에서도 엔비디아나 AMD 등과 경쟁할 수 있는 수준에 도달했다.”며 “특히 미중 기술 경쟁을 고려할 때, 앞으로 더욱 흥미진진한 상황이 펼쳐질 것”으로 내다봤다.